Описание

IRS2092 IRAUDAMP7S высокого класса D стерео усилитель

Параметры:

Это завершенная плата, мне нужно 4 дня, чтобы ее припаять.
Моно тест (блок питания +-50 в, load-8R)
Мощность THD <0.007% 100 Вт
Мощность THD <0.009% 200 Вт
Мощность THD <0.02% 500 Вт
Двухканальный тест на искажение мощности:
THD <0.02% мощность = 250 Вт двухканальный тест (блок питания +-50 в, load-4R)
THD <0.007% мощность = 50 Вт Двухканальное тестирование (блок питания +-50 в, load-4R)
Установка:
Напряжение постоянного тока +-55 в (от +-50 В до +-60 в между)
+-55 В выходная мощность = 150 Вт 8R RMS. Двухканальный
300 Вт 4R RMS стерео.
Рекомендуется переменный ток 400 Вт двойной 40 в силовой трансформатор переменного тока выше.
Мост +-50 В выходная мощность = 500 Вт 8R Моно.
Размер платы: 101*145 мм

Особенности:

Выходная мощность: Масштабируемая выходная мощность от 25-500 Вт (см. Таблицу 1)
Остаточного Шум: 200 V, IHF-A Утяжеленный, AES-17 фильтр
Искажение: 0.007% THD + N 60 Вт, 4 R
Несколько функций защиты: защита от перегрузки по току (OCP), высокая сторона и низкая сторона MOSFET
Защита от перенапряжения (OVP),
Защита от низкого напряжения (UVP), высокая сторона и низкая сторона MOSFET
Dc-защита (DCP),
Защита от перегрева (OTP)
Топология ШИМ: самоколеблющиеся ШИМ, полумостовые или полномостовые топологии на выбор
Выходная мощность: от 25 Вт, 500 Вт (см. Таблицу 1), выходная мощность может быть увеличена
Остаточный шум: 200 В, IHF тип, взвешенный фильтр AES-17
Искажение: 0.007% THD + N 60W's, 4R
Многофункциональная функция защиты: защита от перегрузки по току (OCP), высокая сторона и низкая сторона MOSFET
Защита от перенапряжения (OVP)
Защита от пониженного напряжения (UVP), высокая и низкая сторона MOSFET
Защита постоянного тока (DCP), и
Защита от перегрева (OTP)
Топология PWM: с модуляции ширины импульса колебания, выбор топологии половинного или полного моста