MGF4916G GaAs FET MGF491xG серии Маркировка Nt НС очень низкий уровень шума InGaAs HEMT использования в L ку усилители MIT
  • MGF4916G GaAs FET MGF491xG серии Маркировка Nt НС очень низкий уровень шума InGaAs HEMT использования в L ку усилители MIT
  • MGF4916G GaAs FET MGF491xG серии Маркировка Nt НС очень низкий уровень шума InGaAs HEMT использования в L ку усилители MIT
  • MGF4916G GaAs FET MGF491xG серии Маркировка Nt НС очень низкий уровень шума InGaAs HEMT использования в L ку усилители MIT

MGF4916G GaAs FET MGF491xG серии Маркировка Nt НС очень низкий уровень шума InGaAs HEMT использования в L ку усилители MIT

5.0 2 отзыва 2 заказа
224 руб.

Описание

1. Мы поставляем различные электронные компоненты и приветствуем ваш запрос
2. Восстановление электронных компонентов
3. Искренне надеемся на ваше сотрудничество!
MGF4916G GaAs FET MGF491xG серии Маркировка Nt НС очень низкий уровень шума InGaAs HEMT использования в L ку усилители
Описание
В MGF491xG серии супер-низким уровнем шума HEMT (высокой электронного
Подвижный транзистор) предназначен для использования в полосных усилителях L-Ku.
Герметичная металлическая керамическая посылка гарантирует
Паразитные потери minimumu, и имеет конфигурацию, подходящую для
Микрополосковых схемы.
В MGF491 * серии G установлен в супер 12 ленты.
Особенности
• Низкий уровень шума при f = 12 ГГц
MGF4916G: nfmin. = 0.80dB (макс.)
MGF4919G: nfmin. = 0.50dB (макс.)
• Высокий коэффициент усиления @ f = 12 ГГц
Gs = 12,0 дБ (мин.)
Применение
От L до Ku диапазон низких шумовых усилителей.
Качество класс
• GG
Рекомендуется смещения условиях
• VDS = 2 В в, ID = 10 мА
• См. процедуру смещения
MGF4916G GaAs FET MGF491xG серии Маркировка Nt НС очень низкий уровень шума InGaAs HEMT использования в L ку усилители MITMGF4916G GaAs FET MGF491xG серии Маркировка Nt НС очень низкий уровень шума InGaAs HEMT использования в L ку усилители MIT

Характеристики

Номер модели
MGF4916G