4-дюймовый односторонний полированная Кремниевая пластина высокой степени чистоты монокристаллического кремния с покрытием электронный микроскоп Вафля окиси кремния

Zhejiang кристаллический кремниевый промышленный 4-дюймовый односторонний полированный кремниевый вафельный высокой чистоты монокристаллический кремниевый исследовательский подложка покрытого электронного микроскопа

Односторонняя полированная силиконовая пластина

Кристалл growthCz/Fz: Cz
Диаметр Вафли (мм): 100±0. 3
Модель/П: N
DopantAs P B Sb: Sb
Кристаллическая направленность <100> <111>: <100>
Удельное сопротивление (Ом-см): 0,01-0,02
Толщина Вафли (мкм): 450±25
Условия полировки: тонкая полировка
Шероховатость поверхности (нм): <0,5
Следы кислотной коррозии опционально
TTV по уровню поверхности: <10
Задняя часть кремниевой пластины: кислота
Одиночный кислород/двойной кислород: выбор

Ниже приводится Термическое окисление кремния, произведенного кремниевым чипом, различной толщины, 1000A 2000 A 3000A 5000 A 10000A 20000A 30000A оба имеют. И дикислород, и моноксиген в порядке

Это небольшой квадрат, доступный во всех размерах

'